Vinay Kunnathully wurde auf der “19th International Conference on Extended Defects in Semiconductors” in Thessaloniki für seinen Beitrag über „<link file:36202>Defect Formation in InAs Nanoislands Heteroepitaxially Grown on Nanopillar-Patterned GaAs (111) A“ durch eine internationale Jury mit dem „Helmut Alexander Award“ ausgezeichnet.
Der Helmut-Alexander-Preis wird seit 2002 verliehen und erinnert an die großen Leistungen seines Namensgebers bei der Charakterisierung von Kristallstrukturdefekten in Silizium, Germanium und Verbindungshalbleitern. Neben der Ehre ist der Preis mit einem kleinen Preisgeld verbunden.
Für Vinay Kunnathully ist es schon das zweite Mal, dass er auf einer internationalen Tagung einen Preis gewinnt, zuletzt beim Fall Meeting 2017 der European Materials Research Society EMRS in Warschau.
Wir gratulieren Vinnay Kunnathully zu seinem schönen Erfolg.
